В ячейках динамического ЗУПВ время динамического хранения увеличивается по мере уменьшения толщины диэлектрика конденсатора. Однако следствием такого уменьшения толщины является возникновение туннелирования носителей из верхней платы конденсатора в запоминающий узел через изолирующий слой конденсатора, что при определенном значении толщины диэлектрика может привести к уменьшению времени хранения. Поэтому необходимо использование численного анализа для прогнозирования макс. времени хранения для заданной ячейки ЗУПВ, заданных диэлектрика и температуры. Для выполнения такого анализа разработана мат. модель, учитывающая токи утечек через конденсатор ячеек ЗУПВ. Доминирующим механизмом утечек для конденсатора с таким SiO[2]-изолятором является прямое туннелирование. Сравнение различных типов диэлектриков показало, что макс. время хранения для диэлектрика SiO[2] достигается при толщине 3,8 нм, а для диэлектрика Si[3]N[4] – при толщине 3,5 нм.