Рассмотрены направления совершенствования масштабирования канальных униполярных МОП-транзисторов и приведено описание современного поколения транзисторов, выполненных по технологии 0,13 мкм. Показано, что некоторые предстоящие ограничения в будущем масштабировании связаны с ростом нижепороговой утечки, увеличением утечки оксидного слоя затвора, повышенным изменением плотности межсоединений, параметров и характеристик транзисторов, и отмечается, что решение этих проблем может быть получено путем применения нанотехнологии. Проанализированы основные требования, которые надо удовлетворить при разработке микросхем современной логики и памяти. Рассмотрен ряд направлений современного развития нанотехнологий и отмечается, что благодаря все расширяющимся исследованиям в этой области, нанотехнология вскоре станет совершенноой техникой разработки микросхем. Но при применении нанотехнологии всегда следует помнить о необходимости удовлетворения требований микросхем логики и памяти к плотности, быстродействию, потреблению энергии и других оперативных характеристик.