Флэш-память состоит из нескольких кристаллов памяти одинаковой емкости с последовательной адресацией элементов, начинающейся с нулевой адреса, и кристалла управления микросхемами памяти, как отдельными секторами одной памяти, обеспечивающего непрерывную последовательную адресацию элементов всех секторов, начинающуюся с нулевого адреса, и переключение секторов за счет дополнительных, указывающих сектор, битов в адресе обращения к флэш-памяти. Операции формирования адресов для распределения данных между секторами выполняются в самой флэш-памяти, что позволяет исключить специальные внешние схемы формирования адресов обращений к памяти, благодаря чему упрощается структура внешнего управления флэш-памятью и повышается скорость считывания и записи данных. Схемы кристаллов флэш-памяти выполнены на обычных логических элементах И и НЕ-И и изготавливается флэш-память с применением обычной технологии производства КМОП-структур. Библ. 3.