Метод сходимости распределения пороговых напряжений ячеек памяти для импульсной памяти после стирания обеспечивает самосходимость пороговых напряжений стертых ячеек до больших, более положит. значений, аналогичных тем, что получены японскими учеными Ямода и Чен. Преимуществом новой схемы самосходимости является уменьшение переходов горячих дырок и достижение более плотного распределения пороговых напряжений, чем у Ямода и Чена. Уменьшается полный ток, требуемый для пороговой сходимости, что позволяет выполнять параллельную, а не побайтовую корректировку, всех перестертых битов на разрядной линии. Кроме того, снижение полного тока исключает необходимость увеличения размера схемы подкачки заряда, что дает возможность достигать такую сходимость в маломощных устройства типа ЗУ-устройств.