Представлены последние работы, в которых характеристики ток-напряжение отдельных молекул вычисляются при помощи методов, в которых не используются параметры квантовой механики. Полученные результаты проведенных многочисленных детальных исследований обеспечивают глубокое понимание процессов переноса зарядов в молекулах в контексте с данными для дальнейшего получением информации о роли контактов молекула-электрод и выполнения прогноза поведения 3-терминальных молекулярных устройств и управляющих их характеристиками факторов. Сделанные обобщения выполненных расчеты показывают, что теория в настоящее время продвинулась до состояния, когда может быть сделан количественный прогноз о переносе заряда в одной молекуле. Ожидается что представленные расчеты сыграют важную роль в развитии молекулярной электроники, как простые расчеты дрейфовой диффузии тока в полупроводниковых структурах продвинули развитие микроэлектроники, основанной на использовании кремниевых элементов.