Предлагаются элементы энергонезависимой памяти и способ программирования, с помощью которых производится объединение памяти с другими ИС, для чего производится обработка станд. КМОП-структуры. Элемент указанной памяти содержит антипредохранитель с программируемым узлом и подключенный к нему конденсатор. В антипредохраниле находится МОП-транзистор, исток и сток которого подключены к одному или более напряжениям, а затвор используется в качестве программируемого элемента. При пробое слой диэлектрика соответствует операции антипредохранителя, если через конденсатор проходят импульсы напряжений. Для регулирования пробоев в диэлектрике используются градиенты напряжений, которые формируются в антипредохранителе и концентрируют токи.